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IMBF170R1K0M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R1K0M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R1K0M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：5.2 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
13048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263-7 |
32000 |
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询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
20+ |
PG-TO-263-7-13 |
1000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
200 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
16642 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-263 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
