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IMBF170R1K0M1中文资料CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package数据手册Infineon规格书
IMBF170R1K0M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R1K0M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R1K0M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：5.2 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO-263 |
8850 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
20+ |
PG-TO-263-7-13 |
1000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
2526+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
4500 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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Infineon |
25+ |
PG-TO-263-7-13 |
20000 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
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INFINEON |
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70000 |
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