首页>IMBF170R1K0M1>规格书详情
IMBF170R1K0M1中文资料CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package数据手册Infineon规格书
IMBF170R1K0M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R1K0M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R1K0M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：5.2 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
INF |
24+ |
SMD |
1000 |
全新正品现货供应特价库存 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
MODULE |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263-7 |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IMBF170R1K0M1即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 |
