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IMBF170R650M1中文资料CoolSiC ™ 1700 V SiC 沟槽MOSFET，采用TO-263-7封装数据手册Infineon规格书
IMBF170R650M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R650M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R650M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：7.4 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-263-7 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 | |||
Infineon |
386 |
只做正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271674邹小姐 |
询价 |
