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IMBF170R650M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R650M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R650M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：7.4 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
25048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
1949 |
1000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
INFINEON |
22+ |
NA |
11002 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263-7 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
