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IMBG120R350M1H数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IMBG120R350M1H

功能描述

CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:13:00

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IMBG120R350M1H规格书详情

特性 Features


优势:
• Efficiency improvement
• Enabling higher frequency
• Increased power density
• Cooling effort reduction
• Reduction of system complexity and cost
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
PG-TO263-7
15500
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23+
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