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IMBG120R181M2H规格书详情
描述 Description
CoolSiC ™ MOSFET 1200 V、181 mΩ G2 采用 D2PAK-7L（TO-263-7）封装，以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
特性 Features
• RDS（开） = 181.4VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时，阻值为 mΩ
• 极低的开关损耗
• 过载工作温度高达 Tvj = 200°C
• 短路耐受时间 2 µs
• 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.2 V
• 具有抗寄生导通能力，可施加 0 V 关断栅极电压
• 坚固的体二极管，可实现硬换向
• .XT 互连技术，实现一流的热性能
应用 Application
• 电动汽车充电
技术参数
- 制造商编号
：IMBG120R181M2H
- 生产厂家
：Infineon
- Coss
：12 pF
- ID (@ TC=25°C)
：14.9 A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：94 W
- Qgd
：2.3 nC
- QG
：9.7 nC
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：181.4 mΩ
- RthJAmax
：62 K/W
- RthJCmax
：1.59 K/W
- Tjmax
：200 °C
- VDSmax
：1200 V
- Mounting
：SMD
- Package
：TO-263-7
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Pin Count
：7 Pins
- Technology
：CoolSiC™ G2
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263-7 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon |
21+ |
TO263-7 |
1000 |
21+ |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO263-7 |
12500 |
绝对真实库存 原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271725邹小姐 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
PG-TO263-7 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 |
