IKW75N60T中文资料600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package数据手册Infineon规格书

描述 Description

英飞凌的 600 V、75 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用在 TO-247中封装得全额定续流二极管，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗之间实现了折中方案，因此达到了较高效率。

特性 Features

• 更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
• 低开关损耗
• 由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关
• 非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
• 具有高鲁棒性、温度稳定的行为
• 低电磁干扰辐射
• 低栅极电荷
• 非常严格的参数分配

优势:
• 高效率 - 低传导和开关损耗
• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
• 设备可靠性高

简介

IKW75N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW75N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。