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IKW50N65RH5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IKW50N65RH5 |
参数属性 | IKW50N65RH5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:INDUSTRY 14 |
功能描述 | 650 V Hybrid CoolSiC™ IGBT Discrete |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 16:49:00 |
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IKW50N65RH5规格书详情
特性 Features
优势:
• Highest efficiency
• Increased power density
• Plug & play replacement of the pure silicon devices
• Easy upgrade of existing designs for higher efficiency
• Reduced cooling effort
• Excellent for paralleling
简介
IKW50N65RH5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW50N65RH5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IKW50N65RH5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™ 5
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 开关能量:
230µJ(开),180µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
22ns/180ns
- 测试条件:
400V,25A,12 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
INDUSTRY 14
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+23+ |
TO-247 |
35229 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
34560 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原装正品 |
询价 |