IKW50N65EH5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT5 可与 TO-247 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。

特性 Features

• 650V 击穿电压
• 对比英飞凌业界卓著的“HighSpeed 3”系列
• Qg 系数降低 2.5 倍
• 开关损耗系数降低 2 倍
• V CE (sat) 减少了 200mV
• 采用英飞凌极速硅二极管技术
• 低 C OES/E OSS
• 温和正温度系数 V CE (sat)
• Vf 的温度稳定

优势:
• 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
• 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性
• 更高的功率密度设计

简介

IKW50N65EH5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW50N65EH5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。