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IKW50N65F5A中文资料High speed switching series fifth generation数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IKW50N65F5A |
| 参数属性 | IKW50N65F5A 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
| 功能描述 | High speed switching series fifth generation |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 12:01:00 |
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IKW50N65F5A规格书详情
简介
IKW50N65F5A属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW50N65F5A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IKW50N65F5AXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，50A
- 开关能量：
490µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/156ns
- 测试条件：
400V，25A，12 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3
- 描述：
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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INFINEON |
23+ |
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INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2407+ |
IC |
30098 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
