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IKW50N65SS5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IKW50N65SS5 |
参数属性 | IKW50N65SS5 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:INDUSTRY 14 |
功能描述 | 650 V Hybrid CoolSiC™ IGBT Discrete |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IKW50N65SS5规格书详情
特性 Features
优势:
• Highest efficiency
• Reduced cooling effort
• Increased power density
• Plug & play replacement of the pure silicon devices
• Easy upgrade of existing designs for higher efficiency
• Excellent for paralleling
简介
IKW50N65SS5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKW50N65SS5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IKW50N65SS5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop™ 5
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,50A
- 开关能量:
320µJ(开),550µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
20ns/140ns
- 测试条件:
400V,50A,9 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
INDUSTRY 14
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3730 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
12700 |
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TO-247 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
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Infineon(英飞凌) |
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NA |
20094 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
30000 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
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原装正品 |
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INFINEON |
25+23+ |
TO-247 |
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