首页>IKN03N60RC2>规格书详情

IKN03N60RC2中文资料600 V、3 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装数据手册Infineon规格书

PDF无图
厂商型号

IKN03N60RC2

参数属性

IKN03N60RC2 封装/外壳为TO-261-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

功能描述

600 V、3 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

封装外壳

TO-261-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-11-19 11:00:00

人工找货

IKN03N60RC2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IKN03N60RC2规格书详情

特性 Features


优势:
• Low switching loses on competitive price
• Improved controllability
• Humidity ruggedness improvement
• Easy to design in products – drop in SMD replacement in DPAK and SOT-223
• High system realibility
• Enable inverterization of Small Appliance application with SOT-223

简介

IKN03N60RC2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IKN03N60RC2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IKN03N60RC2ATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    62µJ(开),44µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    7ns/77.5ns

  • 测试条件:

    400V,3A,49 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223-3-1

  • 描述:

    HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APEM
23+
SMD
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
APEM
SMD-16
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
SAMSUNG
24+
SMD
433
询价
Infineon Technologies
25+
TO-261-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
APEM
05+
原厂原装
7187
只做全新原装真实现货供应
询价
APEM
2022+
NA
10000
只做原装,价格优惠,长期供货。
询价
INFINEON
25+
原封装
81220
郑重承诺只做原装进口货
询价
Infineon
3034
只做正品
询价
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
APEM
24+
NA/
4628
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价