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IKN01N60RC2中文资料600 V、1 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IKN01N60RC2

参数属性

IKN01N60RC2 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

功能描述

600 V、1 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-15 11:11:00

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IKN01N60RC2规格书详情

描述 Description

RC Drives 2 600 V、1 A IGBT 分立器件,采用 PG-SOT-223 封装。与 RC-DF 相比,带有单片集成二极管的 RC-D2 在性能、可控性和可靠性方面都有所改进。

特性 Features

• 改进的可控性
• 耐湿度设计
• 短路能力:3 µs
• 无铅镀铅
• 完整的产品系列
• 提供 SPICE 模型

应用 Application

• 吊扇 - 电机控制和驱动解决方案

简介

IKN01N60RC2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IKN01N60RC2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IKN01N60RC2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Eon

    :0.251 mJ

  • IC(@25°) max

    :2.2 A

  • IC(@100°) max

    :1.3 A

  • ICpulsmax

    :3 A

  • IFmax

    :2 A

  • IFpulsmax

    :3 A

  • Irrm

    :1.9 A

  • Ptotmax

    :5.1 W

  • QGate

    :9 nC

  • Qrr

    :60 nC

  • RGint

    :0 Ω

  • RG

    :49 Ω

  • td(off)

    :80 ns

  • td(on)

    :5.6 ns

  • tf

    :10 ns

  • tr

    :4 ns

  • tSC

    :3 µs

  • VCE(sat)

    :2 V

  • VCEmax

    :600 V

  • VF

    :1.85 V

  • VGE(th)

    :5 V

  • Package

    :PG-SOT223-3

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 150 °C

  • Switching Frequency

    :1 kHz to 20 kHz

  • Technology

    :IGBT RC Drives 2

  • Soft Switching

    :No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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