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IKN01N60RC2中文资料600 V、1 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装数据手册Infineon规格书

| 厂商型号 |
IKN01N60RC2 |
| 参数属性 | IKN01N60RC2 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3 |
| 功能描述 | 600 V、1 A IGBT 分立器件,带反向导电驱动 2 个二极管,采用 SOT-223 封装 |
| 封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 11:11:00 |
| 人工找货 | IKN01N60RC2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IKN01N60RC2规格书详情
描述 Description
RC Drives 2 600 V、1 A IGBT 分立器件,采用 PG-SOT-223 封装。与 RC-DF 相比,带有单片集成二极管的 RC-D2 在性能、可控性和可靠性方面都有所改进。
特性 Features
• 改进的可控性
• 耐湿度设计
• 短路能力:3 µs
• 无铅镀铅
• 完整的产品系列
• 提供 SPICE 模型
应用 Application
• 吊扇 - 电机控制和驱动解决方案
简介
IKN01N60RC2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由Infineon制造生产的IKN01N60RC2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IKN01N60RC2
- 生产厂家
:Infineon
- Eon
:0.251 mJ
- IC(@25°) max
:2.2 A
- IC(@100°) max
:1.3 A
- ICpulsmax
:3 A
- IFmax
:2 A
- IFpulsmax
:3 A
- Irrm
:1.9 A
- Ptotmax
:5.1 W
- QGate
:9 nC
- Qrr
:60 nC
- RGint
:0 Ω
- RG
:49 Ω
- td(off)
:80 ns
- td(on)
:5.6 ns
- tf
:10 ns
- tr
:4 ns
- tSC
:3 µs
- VCE(sat)
:2 V
- VCEmax
:600 V
- VF
:1.85 V
- VGE(th)
:5 V
- Package
:PG-SOT223-3
- Operating Temperature
:-40 °C to 150 °C
- Switching Frequency
:1 kHz to 20 kHz
- Technology
:IGBT RC Drives 2
- Soft Switching
:No
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
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APEM |
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SMD |
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23+ |
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50000 |
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APEM |
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原厂原装 |
7187 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
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原封装 |
81220 |
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Infineon |
3034 |
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Apem |
22+ |
NA |
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1 |
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