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IKN01N60RC2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V、1 A IGBT 分立器件，带反向导电驱动 2 个二极管，采用 SOT-223 封装 RC Drives 2 600 V、1 A IGBT 分立器件，采用 PG-SOT-223 封装。与 RC-DF 相比，带有单片集成二极管的 RC-D2 在性能、可控性和可靠性方面都有所改进。 • 改进的可控性\n• 耐湿度设计\n• 短路能力：3 µs\n• 无铅镀铅\n• 完整的产品系列\n• 提供 SPICE 模型;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKN01N60RC2	文件：1.39455 Mbytes Page：17 Pages	丝印：K1DRC2；Package：PG-SOT223-3；600 V Reverse Conducting Drive 2 offering cost effective IGBT with monolithically integrated diode Features • VCE = 600 V • IC = 1 A • Very tight parameter distribution • Operating range of 1 to 20 kHz • Maximum junction temperature 150°C • Short circuit capability of 3 μs • Humidity robust design • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Complete product spectrum and PSpice Models: htt 文件：1.39455 Mbytes 页数：17 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKN01N60RC2ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IKQ50N120CH3	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	INFINEON 英飞凌上传：深圳市维尔达电子有限公司	INFINEON
IKW15N120T2	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	INFINEON 英飞凌上传：深圳市维尔达电子有限公司	INFINEON

技术参数

Eon：
0.251 mJ
IC(@25°) max：
2.2 A
IC(@100°) max：
1.3 A
ICpulsmax：
3 A
IFmax：
2 A
IFpulsmax：
3 A
Irrm：
1.9 A
Ptotmax：
5.1 W
QGate：
9 nC
Qrr：
60 nC
RGint：
0 Ω
RG：
49 Ω
td(off)：
80 ns
td(on)：
5.6 ns
tf：
10 ns
tr：
4 ns
tSC：
3 µs
VCE(sat)：
2 V
VCEmax：
600 V
VF：
1.85 V
VGE(th)：
5 V
Package：
PG-SOT223-3
Operating Temperature：
-40 °C to 150 °C
Switching Frequency：
1 kHz to 20 kHz
Technology：
IGBT RC Drives 2
Soft Switching：
No

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