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IKFW75N65ES5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IKFW75N65ES5

参数属性

IKFW75N65ES5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IKFW75N65ES5XKSA1

功能描述

650 V, 75 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
IKFW75N65ES5XKSA1

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:02:00

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IKFW75N65ES5规格书详情

特性 Features


优势:
• No need to use isolation material and thermal grease
• 35% reduction in assembling time compared to standard TO-247 with Iso-foils
• Increased yield eliminating misalignments of isolation foils
• Up to 10°C lower Tc compared to standard TO-247 with isolation material
• Up to 20% Iout increase for higher power output
• Complete manufacturing process control
• Easy paralleling

简介

IKFW75N65ES5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKFW75N65ES5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IKFW75N65ES5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Trenchstop™ 5

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.48mJ(开),660µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    24ns/152ns

  • 测试条件:

    400V,60A,8毫欧,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-HSIP247-3-2

  • 描述:

    IKFW75N65ES5XKSA1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25
PG-TO247-3-AI
6000
原装正品
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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Infineon/英飞凌
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买原装认准中赛美
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Infineon
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原装正品
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Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO247-3-AI
9600
原装现货,欢迎询价
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