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IKD10N60RA中文资料600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IKD10N60RA

参数属性

IKD10N60RA 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 150W TO252-3

功能描述

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications
IGBT 600V 20A 150W TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 16:05:00

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IKD10N60RA规格书详情

简介

IKD10N60RA属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKD10N60RA晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IKD10N60RAATMA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,10A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14ns/192ns

  • 测试条件:

    400V,10A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PG-TO252-3

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 150W TO252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO252-3
12700
买原装认准中赛美
询价
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
Infineon/英飞凌
2023+
PG-TO252-3
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
Infineon(英飞凌)
23+
TO-252-3
19850
原装正品,假一赔十
询价
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原装,质量保证
询价
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
2500
全新原装正品支持含税
询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
询价
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价