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IXSM40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST40N60B	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGF40N60KDA	文件：1.42453 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF40N60PA	文件：1.4286 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT40N60KDA	文件：437.24 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY40N60	文件：205.61 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtimesuchasMotorControlDriv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGY40N60D	文件：247.07 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NGTB40N60FLWG	文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N60IHLWG	文件：184.19 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
IHW40N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 40A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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