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IXGM40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGM40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGR40N60B	文件：58.53 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBT(ElectricallyIsolatedBackside)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGR40N60C	文件：262.17 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST™IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT40N60C	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features InternationalstandardpackagesJEDECTO-247andsurfacemountableTO-268 Highcurrenthandlingcapability LatestgenerationHDMOS™process MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications PFCcircuits Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Switched-modeandr	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKC40N60C	文件：57.6 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETISOPLUS220 Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●2NDgenerationCoolMOSpowerMOSFET -Highblockingcapability -Lowonresistance -Avalancheratedforunclampedinductive	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKN40N60	文件：117.89 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKN40N60C	文件：117.89 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKR40N60	文件：46.82 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247Package CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247™Package N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,HighVDSSMOSFET PackagewithElectricallyIsolatedBase Features ●ISOPLUS247packagewithDCBBase -Electricalisolationtowardstheheatsink -Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKR40N60C	文件：46.82 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247Package CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247™Package N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,HighVDSSMOSFET PackagewithElectricallyIsolatedBase Features ●ISOPLUS247packagewithDCBBase -Electricalisolationtowardstheheatsink -Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH40N60	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH40N60B	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSM40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSM40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXST40N60B	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
KGF40N60KDA	文件：1.42453 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF40N60PA	文件：1.4286 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
IHW40N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 40A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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