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IHW40N60T	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	Marking：H40T60；Package：PG-TO-247-3；Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop -technology with anti-parallel diode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IHW40N60T_08	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop -technology with anti-parallel diode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IHW40N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 40A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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