TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers : - very tight parameter distribution - hi

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EiceDRIVER™ 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)

Features • Single-channel isolated gate driver • For use with 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si and SiC MOSFETs • Up to 6.5 A typical peak output current • 45 ns propagation delay with 7 ns part-to-part matching (skew) • 35 V absolute maximum output supply voltage • High common-mode

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丝印：H30SR5；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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分立式IGBT

第 2 代逆导型 1600 V、30 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3 和场终止技术，采用单片集成逆导型二极管在 TO247 中封装，进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为，可实现更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。 • 一流的 VCEsat 和 Vf，实现卓越的效率\n• 低开关损耗\n• 稳定的温度行为\n• 软电流关断波形\n• 高击穿电压\n• 能够承受 SOA 上的电流尖峰\n\n优势:\n• 功耗低\n• 更好的热量管理\n• 降低散热，冷却和 EMI 滤波成本\n• 较高的设备安全性和可靠性\n• 降低系统成本\n• 同类较高性能，价格具有竞争力;

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1600V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

第5代反向导通1600 V，30 A TRENCHSTOP™ IGBT，采用 TO-247 封装的单片集成反向导通二极管，针对感应烹饪应用的严格要求进行了优化。30A RC-H5 器件在上一代反向导通 IGBT 基础上进行了改进，并进一步提升了 RC-H 系列性能的先进地位，它专注于系统效率和可靠性。 • 开关损耗减少幅度高达20％\n• 超低通态损耗\n• 启动电流峰值降低10％\n• Tj(max)= 175°C\n• 低 EMI 的软电流关断波形\n• 更高的阻断电压 VBR（min）= 1600\n\n优势:\n• 开关频率增加\n• 减少功率损耗\n• 更好的热管理，可提高可靠性\n• 更低的 EMI 滤波要求\n• 降低系统成本\n• 针对峰值电流的最高可靠性;

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Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

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Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：HOME APPLIANCES 14

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