丝印：60R190D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD

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氮化镓 CoolGaN ™ 600V e-mode 功率晶体管 IGT60R190D1，实现极致效率和可靠性

IGT60R190D1 可实现更紧凑的拓扑结构，并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。它采用底部冷却的 HSOF-8（TO 无引线）封装，旨在满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散。 • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态\n• 超快速开关\n• 无反向恢复电荷\n• 具有反向传导能力\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 卓越的换向坚固性\n• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)\n• 低动态 RDS(on)\n• 底部冷却;

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丝印：60S190D1；Package：PG-HSOF-8-3；600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor

Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

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CoolGaN™600V 电子模式功率晶体管IGT60R190D1S具有极高的效率和可靠性

IGT60R190D1S CoolGaN™600V 增强型功率晶体管提供快速的开关速度和最小的开关损耗， 并实现最高效率的简单半桥拓扑结构。\n CoolGaN™600V系列符合全面为GaN而定制的认证，远远超出现有标准。 它针对数据通信和服务器开关电源，电信以及适配器，充电器，无线充电以及其他需要最高效率或功率密度的应用。

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包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：GAN HV

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