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IGLD60R190D1	文件：500.23 Kbytes Page：17 Pages	丝印：60R190D1；Package：PG-LSON-8-1；600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD 文件：500.23 Kbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IGLR60R190D1	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	丝印：60R190D1；Package：PG-TSON-8-6；600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD 文件：498.44 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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60R190D1	文件：500.23 Kbytes Page：17 Pages	600V CoolGaN??enhancement-mode Power Transistor Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD 文件：500.23 Kbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
60R190D1	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor Features  Enhancement mode transistor – Normally OFF switch  Ultra fast switching  No reverse-recovery charge  Capable of reverse conduction  Low gate charge, low output charge  Superior commutation ruggedness  Qualified for industrial applications according to JEDEC Standards (JESD 文件：498.44 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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