首页>IGT60R190D1>规格书详情
IGT60R190D1中文资料氮化镓 CoolGaN ™ 600V e-mode 功率晶体管 IGT60R190D1，实现极致效率和可靠性数据手册Infineon规格书
IGT60R190D1规格书详情
描述 Description
IGT60R190D1 可实现更紧凑的拓扑结构，并在更高频率运行下提高效率。它通过了广泛的 GaN 特定资格认证流程，超过了行业标准。它采用底部冷却的 HSOF-8（TO 无引线）封装，旨在满足现代数据中心、服务器、电信、可再生能源和众多其他应用所需的最佳功率耗散。
特性 Features
• E-mode HEMT – 通常处于关闭状态
• 超快速开关
• 无反向恢复电荷
• 具有反向传导能力
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 卓越的换向坚固性
• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)
• 低动态 RDS(on)
• 底部冷却
简介
IGT60R190D1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IGT60R190D1晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：IGT60R190D1
- 生产厂家
：Infineon
- IDpuls(@25°C) max
：23 A
- QG
：3.2 nC
- RDS (on)(typ)
：140 mΩ
- VDSmax
：600 V
- Mounting
：SMT
- Generation
：≤ G3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
HSOF83 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-HSOF-8-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-HSOF-8-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
SANYO |
24+ |
SMD |
12860 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-HSOF-8-3 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-HSOF-8-3 |
115000 |
2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 |
