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IRF1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? •AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010E	文件：786.41 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010E	文件：338.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1010EL	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：231.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：3.12153 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ES	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
I1010
功能描述：
钳型万用表及配件 AC/DC CURRENT CLAM
RoHS：
否
制造商：
Fluke
准确性：
2 %
测距：
400 A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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