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HYG170C03LR1C2中文资料N+P MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG170C03LR1C2

功能描述

N+P MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:28:00

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HYG170C03LR1C2规格书详情

描述 Description

此器件为30V N+P结构、15/22mΩ内阻、PDFN8L(5x6)双基岛岛封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动、DC-DC等应用领域

特性 Features

低内阻      
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准                                      
提升系统效率
领先的封装工艺 

应用 Application

电机驱动/无线充/DC-DC

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG170C03LR1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :20 / -19

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :19 / 27

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :28 / 55

  • PD@TC=25℃ (W)

    :18.7

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3/-1~-3

  • Ciss Typ(pF)

    :446

  • Qg Typ(nC)

    :9.2

  • Configuration

    :N+P

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电机驱动 / DC-DC / 电源

  • Status

    :MP

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