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HYG090ND06LS1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG090ND06LS1C2

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 19:09:00

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HYG090ND06LS1C2规格书详情

描述 Description

此器件为60V 双N结构、9mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合DC-DC/小电机驱动等应用领域

特性 Features

低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准                                      
提升系统效率

应用 Application

DC-DC/小电机驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG090ND06LS1C2

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :56

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :9.8

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :14.8

  • PD@TC=25℃ (W)

    :60

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :1~3

  • Ciss Typ(pF)

    :926

  • Qg Typ(nC)

    :18.5

  • Configuration

    :Dual - N

  • Package

    :PDFN8L(5x6)

  • Application

    :电机驱动 / DC-DC

  • Status

    :MP

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