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HYG090ND06LS1C2中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG090ND06LS1C2规格书详情
描述 Description
此器件为60V 双N结构、9mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合DC-DC/小电机驱动等应用领域
特性 Features
低输入电容
100% DVDS测试
100% UIL测试
符合RoHS标准
提升系统效率
应用 Application
DC-DC/小电机驱动
技术参数
- 制造商编号
:HYG090ND06LS1C2
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:56
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:9.8
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
:14.8
- PD@TC=25℃ (W)
:60
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:1~3
- Ciss Typ(pF)
:926
- Qg Typ(nC)
:18.5
- Configuration
:Dual - N
- Package
:PDFN8L(5x6)
- Application
:电机驱动 / DC-DC
- Status
:MP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HYNIX |
24+ |
BGA |
880000 |
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HY |
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HY |
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