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HUF76619D3	文件：215.28 Kbytes Page：10 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.085Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.087Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.Fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：215.28 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF76619D3	文件：108.89 Kbytes Page：9 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.085Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.087Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.semi.Intersil.com • Peak Current vs Pulse W 文件：108.89 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76619D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF76619D3S	文件：215.28 Kbytes Page：10 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.085Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.087Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.Fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi 文件：215.28 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF76619D3S	文件：108.89 Kbytes Page：9 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.085Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.087Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.semi.Intersil.com • Peak Current vs Pulse W 文件：108.89 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF76619D3ST	文件：1.43593 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.43593 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP

详细参数

型号：
HUF76619D3
功能描述：
MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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