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HUF76619D3	文件：108.89 Kbytes Page：9 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.085Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.087Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.semi.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseW	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HUF76619D3	文件：215.28 Kbytes Page：10 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.085Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.087Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.Fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76619D3S	文件：215.28 Kbytes Page：10 Pages	18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.085Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.087Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.Fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUF76619D3ST	文件：1.43593 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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HUFA76619D3S	文件：215.55 Kbytes Page：10 Pages	18A,100V,0.087Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUFA76619D3ST	文件：1.49126 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

详细参数

型号：
HUF76619D3
功能描述：
MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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