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HUF76619D3ST中文资料百域芯数据手册PDF规格书

HUF76619D3ST
厂商型号

HUF76619D3ST

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.43593 Mbytes

页面数量

4

生产厂商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企业简称

Bychip百域芯

中文名称

深圳市百域芯科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-22 23:00:00

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HUF76619D3ST规格书详情

Features

 VDS= 100V, ID= 18.1 A

RDS(ON) < 57 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 70 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

产品属性

  • 型号:

    HUF76619D3ST

  • 功能描述:

    MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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