N 沟道，逻辑电平，UltraFET 功率 MOSFET，60V，11A，107mΩ

N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 11A, 107mΩ •超低导通电阻\n•仿真模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS 额定值曲线\n•开关时间与RGS曲线;

ONSEMI

安森美半导体

60V，3.8A，75mΩ，SO-8，逻辑电平，双 N 沟道，UltraFET®

HUF76407DK_F085 •超低导通电阻- rDS(ON) = 0.090Ω，VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105Ω，VGS = 5V\n•仿真模型- 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型- SPICE 和 SABER 热 D225- www.fairchildsemi.com\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线\n•瞬态热阻抗曲线与板安装面积\n•开关时间与 RGS曲线\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Renesas

瑞萨