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HUF75639S_F085A	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET® Trench 这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。 56 A，100 V\n峰值电流与脉宽曲线\nUIS额定值曲线\n相关文献;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75639G3	文件：300 bytes Page：1 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
56
PD Max (W)：
200
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
57
Ciss Typ (pF)：
2000
Package Type：
TO-247-3

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