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HUF75639S3S	文件：229.33 Kbytes Page：10 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：229.33 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75639S3S	文件：234.92 Kbytes Page：10 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：234.92 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75639S3S	文件：370.04 Kbytes Page：9 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：370.04 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75639S3ST	文件：234.92 Kbytes Page：10 Pages	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and th 文件：234.92 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75639G3	文件：302.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：302.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HUF75639G3	文件：532.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75639G；Package：TO-247；N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 56 A, 25 m廓文件：532.95 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75639P3	文件：532.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75639P；Package：TO-220AB；N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 56 A, 25 m廓文件：532.95 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75639S3	文件：532.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75639S；Package：TO-262AA；N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 56 A, 25 m廓文件：532.95 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75639S3ST	文件：532.95 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75639S；Package：TO-263AB；N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 56 A, 25 m廓文件：532.95 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75639P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ 这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。 •56A，100V\n•温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型\n•SPICE和SABER热阻抗模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
56
PD Max (W)：
200
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
57
Ciss Typ (pF)：
2000
Package Type：
TO-247-3

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更多HUF75639供应商更新时间2026-1-27 17:02:00

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