HGTP3N60A4中文资料IGBT，600 V，SMPS数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

HGTP3N60A4 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态导通损耗特性。 该 IGBT 非常适合许多工作频率很高，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。 该设备已被优化来实现快速开关应用，比如 UPS 和焊机。

特性 Features

•8A, 600V @ TC = 110°C
•低饱和电压： V CE(sat) = 2.0 V @ I C = 3A
•典型下降时间。 . . . . . . . . . TJ=125°C 时，为 70 ns
•低导通损耗

应用 Application

• 其他工业
• 不间断电源

简介

HGTP3N60A4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP3N60A4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。