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HGTP2N120CN数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTP2N120CN规格书详情
简介
HGTP2N120CN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTP2N120CN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：HGTP2N120CN
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：13A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
：20A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.4V @ 15V，2.6A
- 功率 - 最大值
：104W
- 开关能量
：96µJ（开），355µJ（关）
- 输入类型
：标准
- 栅极电荷
：30nC
- 25°C 时 Td（开/关）值
：25ns/205ns
- 测试条件
：960V，2.6A，51 欧姆，15V
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-220-3
- 供应商器件封装
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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