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H7N0308LSTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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RENESAS

瑞萨

H7N0308AB

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0308AB

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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H7N0308AB-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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详细参数

  • 型号:

    H7N0308LSTL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
中性
23+
SOT-23
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TO263
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TO263
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TO263
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TO-252
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原装正品,现货特价
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LDPAK
22+
6000
十年配单,只做原装
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R
23+
LDPAK
6000
原装正品,支持实单
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25+
LDPAK
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
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更多H7N0308LSTL-E供应商 更新时间2025-10-6 11:04:00