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H7N0310LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=8mΩtyp. •Lowdrivecurrent | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
H7N0310LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
H7N0310LD | Power MOSFETs; | RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | Renesas | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
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技术参数
- 封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
30
- ID (A)：
30
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
10
- Ciss (pF) 典型值：
1400
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
50
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
- QG (nC) 典型值：
24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
中性 |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
100 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
2025+ |
TO263 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
瑞萨Renesa |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
瑞萨Renesa |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
R |
LDPAK |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 |
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更新时间2025-7-30 11:03:00
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