首页>H7N0308LSTL-E>规格书详情
H7N0308LSTL-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
H7N0308LSTL-E规格书详情
Features
• Low on-resistance
RDS (on) = 3.8 mΩ typ.
• Low drive current
• 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source
产品属性
- 型号：
H7N0308LSTL-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
瑞萨Renesa |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
中性 |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
R |
LDPAK |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
R |
22+ |
LDPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-263 |
42741 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
100 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
28000 |
原装正品 |
询价 |
