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H7N1005LM

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005LMTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005LM

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

H7N1005LS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005LS

Power MOSFETs and IGBT for PDP

文件:136.18 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1005LSTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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技术参数

  • 封装类型:

    LDPAK(S)(2)

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    100

  • ID (A):

    15

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    155

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    110

  • Ciss (pF) 典型值:

    830

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    2.5

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    30

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • 订购条件:

    Large order only

  • QG (nC) 典型值:

    15

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RENESAS
21+
TO263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS
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TO-252
50662
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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RENESAS
2023+
TO263
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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TO263
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TO263
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VBSEMI/台湾微碧
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TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO263
22+
6000
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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更多H7N1005LM供应商 更新时间2025-12-22 13:01:00