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H7N1005LSTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:125.81 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1005DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

文件:139.4 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1005DL

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.17868 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

H7N1005DS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

文件:139.4 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    H7N1005LSTL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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YO-3P
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更多H7N1005LSTL-E供应商 更新时间2025-10-8 11:10:00