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H7N1005DL	文件：139.4 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive 文件：139.4 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1005DL	文件：1.17868 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17868 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
H7N1005DL_15	文件：139.92 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：139.92 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1005DL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
155
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
110
Ciss (pF) 典型值：
830
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
15

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