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H7N0608LS	文件：118.57 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：118.57 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H7N0608AB	文件：128.18 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：128.18 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0608FM	文件：105.16 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：105.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0608FM	文件：1.18906 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.18906 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
70
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
8
Ciss (pF) 典型值：
6200
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
80
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
QG (nC) 典型值：
100

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