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|---|---|---|---|---|
H7N0308AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：105.87 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
H7N0308AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.02 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.02 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：100.08 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
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H7N0308AB | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
TO-220AB
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
30
- ID (A)：
70
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
8.5
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4.8
- Ciss (pF) 典型值：
3350
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
100
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
- QG (nC) 典型值：
52
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-220 |
2000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-220 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
TO-220 |
68552 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
TO-220 |
48283 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
53250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
REN |
23+ |
SDM/DIP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 |
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