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H5MS5162EFR-J3M	文件：0 bytes Page：0 Pages	HYNIX/海力士 FBGA	NI National Instruments Inc. 相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	NI

详细参数

型号：
H5MS5162EFR-J3M
制造商：
SK Hynix Inc
功能描述：
SDRAM MOBILE DDR 512MB(X16) 60FBGA
功能描述：
SDRAM, MOBILE DDR, 512MB(X16), 60FBGA
功能描述：
SDRAM, MOBILE DDR, 512MB(X16), 60FBGA, Memory
Type：
DRAM - Synchronous, Memory C
Type：
DRAM - Synchronous, Memory
Configuration：
32M x 16, Memory Case
Style：
FBGA, No. of
Pins：
60, IC Interface
Type：
LVCMOS, Operating Temperature
Min：
-30C, Operating Temperature
Max：
85C, , RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H5MS5162EFR-J3M供应商更新时间2025-7-17 9:02:00

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