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H5N3003	文件：133.53 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High Speed Switching 文件：133.53 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N3003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
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H5N3003P	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFETs and IGBT for PDP 文件：136.18 Kbytes 页数：2 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N3003P_15	文件：143.63 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：143.63 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N3003P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
300
ID (A)：
40
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
69
Ciss (pF) 典型值：
5150
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
130

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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中天科工半导体（深圳）有限公司	H5N3003P91-E	Renesas	20+	TO-247	38560	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	H5N3003P-E	RENESAS/瑞萨	24+		65230		询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	H5N3003P	瑞萨Renesa	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	H5N3003P91-E	Renesas	2023+	TO-247	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价

更多H5N3003供应商更新时间2025-10-4 8:31:00

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