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H5N1503P

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

* Low on-resistance * Low leakage current * High speed switching

文件:81.58 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N1503P-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

* Low on-resistance * Low leakage current * High speed switching

文件:81.58 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N1503P_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:104.8 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N1503P

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    150

  • ID (A):

    70

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    27

  • Ciss (pF) 典型值:

    5100

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    135

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-3P
50000
原厂代理 终端免费提供样品
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瑞萨RENESA
23+
TO-3P
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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瑞萨Renesa
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TO-3P
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RENESAS
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TO-3P
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS
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更多H5N1503P供应商 更新时间2025-10-6 14:04:00