| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching. | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
TRANSISTOR(NPN) | BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 百特森深圳市百特森电子有限公司 | BYTESONIC | ||
TRANSISTOR(NPN) | RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司 | RECTRON | ||
NPNSilicon NPNSilicon | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR | YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司 | YIXIN | ||
Plastic-EncapsulateTransistors | SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司 | SHENZHENSLS | ||
SMDGeneralPurposeNPNTransistors Features GeneralPurposeComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g CasematerialUL94V-0 Solder&assemblyco | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | Diotec | ||
NPNGeneralPurposeTransistor | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | ||
NPNPlastic-EncapsulateTransistors | JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. | JINGHENG | ||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
Plastic-EncapsulateTransistors | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司 | HOTTECH | ||
GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | SECOS | ||
SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | Diotec | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
NPNGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | ||
SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | Diotec | ||
HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR ■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | DIODES | ||
NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | ||
HighVoltageTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
- 封装形式：
- 极限工作电压：
180V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
100MHZ
- 引脚数：
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
180
- htest：
100000000
- atest：
.6
- wtest：
.625
详细参数
- 型号：
H5551
- 制造商：
HUASHAN
- 制造商全称：
HUASHAN
- 功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD |
22+23+ |
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533 |
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