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MMBT5551中文资料PDF规格书

MMBT5551
厂商型号

MMBT5551

参数属性

MMBT5551 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

TRANSISTOR(NPN)

文件大小

1.67128 Mbytes

页面数量

2

生产厂商 Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
企业简称

HTSEMI金誉半导体

中文名称

深圳市金誉半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 11:23:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBT5551

  • 别名:

    MMBT5551三极管、MMBT5551晶体管、MMBT5551晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_宽频带放大 (A)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    180

  • htest:

    999900

  • atest:

    .6

  • wtest:

    .3

MMBT5551规格书详情

FEATURES

● Complementary to MMBT5401

● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT5551

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

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