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MMBT5551中文资料PDF规格书

MMBT5551

厂商型号	MMBT5551
参数属性	MMBT5551 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
功能描述	NPN General Purpose Transistor
文件大小	158.3 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称	BILIN【世纪微电子】
中文名称	常州银河世纪微电子股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-20 18:33:00

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晶体管资料

型号：
MMBT5551
别名：
MMBT5551三极管、MMBT5551晶体管、MMBT5551晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
180
htest：
999900
atest：
.6
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBT5551
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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