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|---|---|---|---|---|
丝印：H30R1103；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo 文件：2.05032 Mbytes 页数：15 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
H30R1103 | Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo 文件：2.05032 Mbytes 页数：15 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
H30R1103
- 功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-247 |
26 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
英飞翎 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
21928 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-247 |
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