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H30R1353	文件：2.05144 Mbytes Page：15 Pages	型号：IHW30N135R3；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit 文件：2.05144 Mbytes 页数：15 Pages	英飞凌	ETC
H30R1353	文件：1.72064 Mbytes Page：16 Pages	型号：IHW30N135R3；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: • Offers new higher breakdown voltage to 1350V for improved reliability • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOPTM technology offering: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavi 文件：1.72064 Mbytes 页数：16 Pages	英飞凌	ETC
	文件：2.05144 Mbytes Page：15 Pages	型号：H30R1353；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit 文件：2.05144 Mbytes 页数：15 Pages	英飞凌	ETC

详细参数

型号：
H30R1353
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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