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IHW30N110R3	文件：2.05032 Mbytes Page：15 Pages	Marking：H30R1103；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N110R3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N110R3XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TO-247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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Marking：H30R1103；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •Verytightparameterdistribution •Highruggedness,temperaturestablebehavior •LowVCEsat •Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature coefficientinVCEsat •LowEMI •QualifiedaccordingtoJEDECfo

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详细参数

型号：
IHW30N110R3
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IHW30N110R3供应商更新时间2025-7-26 16:36:00

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