H30R1103中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	H30R1103
功能描述	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
文件大小	2.05032 Mbytes
页面数量	15 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-29 16:01:00
人工找货	H30R1103价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features:

•Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage

designedforsoftcommutationonly

•Verytightparameterdistribution

•Highruggedness,temperaturestablebehavior

•LowVCEsat

•Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature

coefficientinVCEsat

•LowEMI

•QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications

•Pb-freeleadplating;RoHScompliant

•CompleteproductspectrumandPSpiceModels:

http://www.infineon.com/igbt/

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