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H39N04NM6	文件：1.12444 Mbytes Page：12 Pages	型号：IQFH39N04NM6；Package：PG-TSON-12；MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V Features •OptimizedforLowVoltageDrivesapplications •OptimizedforBatteryPoweredapplications •OptimizedforSynchronousRectification •Verylowon-resistanceRDS(on) •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel,normallevel •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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H39N04NM6

文件：1.12444 Mbytes

Page：12 Pages

型号：IQFH39N04NM6；Package：PG-TSON-12；MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

Features •OptimizedforLowVoltageDrivesapplications •OptimizedforBatteryPoweredapplications •OptimizedforSynchronousRectification •Verylowon-resistanceRDS(on) •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel,normallevel •Pb-freeleadplating;RoHS

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多H39N04NM6供应商更新时间2025-7-30 14:12:00

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