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IHW40N135R3	文件：1.72334 Mbytes Page：15 Pages	丝印：H40R1353；Package：PG-TO247-3；Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit 文件：1.72334 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
H40R1353	文件：1.72334 Mbytes Page：15 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features: •Offersnewhigherbreakdownvoltageto1350Vforimproved reliability •Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyoffering: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswit 文件：1.72334 Mbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多H40R1353供应商更新时间2025-8-10 14:14:00